硅太陽能電池分類

一、按硅片厚度分

可分為晶體硅太陽能電池和薄膜硅太陽能電池。

二、按材料的結晶形態分

可分為單晶硅（c-Si）和多晶硅（p-Si）太陽能電池兩類；

薄膜硅太陽能電池分為非晶硅（a-Si）薄膜太陽能電池、微晶硅（c-Si）太陽能電池和多晶硅（p-Si）薄膜太陽能電池三種。

1、單晶硅太陽能電池

轉換效率最高，技術也最為成熟。在實驗室里最高的轉換效率為24.7%（理論最高光電轉化效率為25%），規模生產時的效率為18%（截至2011年）。在大規模應用和工業生產中仍占據主導地位，但由于單晶硅成本價格高，大幅度降低其成本很困難，為了節省硅材料，發展了多品硅薄膜和非晶硅薄膜作為單晶硅太陽能電池的替代產品。

2、多晶硅太陽能電池

一般采用低等級的半導體多晶硅，或者專門為太陽能電池使用而生產的鑄造多晶硅等材料。與單晶硅太陽能電池相比，多晶硅太陽能電池成本較低，而且轉換效率與單晶硅太陽能電池比較接近，它是太陽能電池的主要產品之一。多晶硅太陽能電池硅片制造成本低，組件效率高，規模生產時的效率已達18%左右。多晶硅太陽能電池占據主流，除取決于此類電池的優異性能外，還在于其充足、廉價、無毒、無污染的硅原料來源，而近年來多晶硅成本的降低更將使多晶硅太陽能電池大行其道。

3、非晶硅薄膜太陽能電池

成本低重量輕，便于大規模生產，有極大的潛力。非晶態硅，其原子結構不像晶體硅那樣排列得有規則，而是一種不定形晶體結構的半導體。非晶硅屬于直接帶系材料，對陽光吸收系數高，只需要1μm厚的薄膜就可以吸收80%的陽光。非晶硅薄膜太陽能電池于1976年問世，南于硅原料不足和價格上漲，促進了高效使用硅的技術和非晶硅薄膜系太陽能電池的開發。非晶硅薄膜電池低廉的成本彌補了其在光電轉換效率上的不足。但是南于非晶硅缺陷較多，制備的太陽能電池效率偏低，且受制于其材料引發的光電效率衰退效應，穩定性不高，直接影響了它的實際應用。

4、微晶硅（μc-Si）薄膜太陽能電池

同樣由于光電效率衰退效應致使其性能不穩定。發展受到一定的限制。

5、多晶硅薄膜太陽能電池

是近年來太陽能電池研究的熱點。雖然多晶硅屬于間接帶隙材料，不是理想的薄膜太陽能電池材料，但是隨著陷光技術、鈍化技術以及載流子束縛技術的不斷發展，人們完全有可能制備出高效、廉價的多晶硅薄膜太陽能電池。

硅太陽能電池工作原理

太陽能電池發電的原理主要是半導體的光電效應，一般的半導體主要結構如下：硅材料是一種半導體材料，太陽能電池發電的原理主要就是利用這種半導體的光電效應。

當硅晶體中摻入其他的雜質，如硼（黑色或銀灰色固體，熔點為2 300℃，沸點為3 658℃，密度為2.349/cm3，硬度僅次于金剛石，在室溫下較穩定，可與氮、碳、硅作用，高溫下硼還與許多金屬和金屬氧化物反應，形成金屬硼化物。這些化合物通常是高硬度、耐熔、高電導率和化學惰性的物質）、磷等，當摻入硼時，硼元素能夠俘獲電子，硅晶體中就會存在一個空穴，這個空穴因為沒有電子而變得很不穩定，容易吸收電子而中和，它就成為空穴型半導體，稱為P型半導體（在半導體材料硅或鍺晶體中摻入三價元素雜質可構成缺殼粒的P型半導體，摻入五價元素雜質可構成多余殼粒的N型半導體）。

同樣，摻入磷原子以后，因為磷原子有五個電子，所以就會有一個電子變得非常活躍，形成電子型半導體，稱為N型半導體。P型半導體中含有較多的空穴，而N型半導體中含有較多的電子，這樣，當P型和N型半導體結合在一起時。在兩種半導體的交界面區域里會形成一個特殊的薄層，界面的P型一側帶負電，N型一側帶正電，出現了濃度差。N區的電子會擴散到P區，P區的空穴會擴散到N區，一旦擴散就形成了一個由N指向P的“內電場”，從而阻止擴散進行。達到平衡后，就形成了這樣一個特殊的薄層形成電勢差，從而形成PN結。當晶片受光后，PN結中，N型半導體的空穴往P型區移動，而P型區中的電子往N型區移動，從而形成從N型區到P型區的電流。然后在PN結中形成電勢差，這就形成了電源。

由于半導體不是電的良導體，電子在通過PN結后如果在半導體中流動，電阻非常大，損耗也就非常大。但如果在上層全部涂上金屬，陽光就不能通過，電流就不能產生，因此一般用金屬網格覆蓋PN結，以增加入射光的面積。另外硅表面非常光亮，會反射掉大量的太陽光，不能被電池利用。

為此，科學家們給它涂上了一層反射系數非常小的保護膜（減反射膜），實際工業生產基本都是用化學氣相沉積一層氮化硅膜，厚度在1000A左右。將反射損失減小到5%甚至更小。或者采用制備絨面的方法，即用堿溶液（一般為NaOH溶液）對硅片進行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。入射光在這種表面經過多次反射和折射，降低了光的反射，增加了光的吸收，提高了太陽電池的短路電流和轉換效率。一個電池所能提供的電流和電壓畢競有限，于是人們又將很多電池（通常是36個）并聯或串聯起來使用，形成太陽能光電板。