一、euv光刻膠是什么
euv光刻膠也稱極紫外光刻膠或EUVL，是一種使用極紫外（EUV）波長的下一代光刻技術。EUV光刻膠采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm，它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。
二、euv光刻膠的缺點
EUV光刻膠用于晶圓廠的芯片生產，它使用一個巨大的掃描儀在高級節點上對芯片的微小特征進行圖案化，在操作中，EUV的掃描儀產生光子，最終與晶圓上的光敏材料光刻膠相互作用，以形成精確的特征化圖案。
不過，并不是每次都可以實現精確圖案化，在EUV中，光子撞擊光刻膠發生反應且這一動作重復多次，這些過程充滿不可預測性和隨機性，可能會產生新的反應，也就是說EUV光刻工藝容易出現所謂的隨機性，是具有隨機變量的事件，這些變化被統稱為隨機效應。隨機效應有時會導致芯片中出現不必要的接觸缺陷或有粗糙度的圖案，兩者都會影響芯片的性能，甚至導致設備出現故障。
在操作中，EUV掃描儀應該在芯片中創建各種圖案，例如微小的接觸孔、線條和通孔，并且具有良好的均勻性。但有時，掃描儀可能無法圖案化所需線條，出現換行符，無法打印每一個接觸孔，出現缺失接觸，其他情況下，該過程還會導致一個或多個孔合并，出現“接吻接觸”。
換行符、缺失接觸和接吻接觸都被認為是隨機效應引起的缺陷，另一個隨機效應是線邊緣粗糙度（LER）。LER被定義為特征邊緣與理想形狀的偏差，不隨特征大小而縮放，因此是有問題的。
