一、IGBT內部結構是怎樣的
IGBT是絕緣柵雙極晶體管的英文簡稱，是一種三端半導體開關的器件，可用于多種電子設備中的高效快速開關的場景中，一般igbt有三個端子：集電極、發射極和柵極，它們都是附有金屬層，但是柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。IGBT結構其實就相當于是一個四層半導體的器件。四層器件是通過組合PNP和NPN晶體管來實現的，它們構成了P-N-P-N排列。
IGBT模塊是由IGBT芯片和反并聯二極管、驅動電路等組成的，它的結構相比IGBT芯片要復雜很多，一般由以下幾部分組成：
1、散熱基板：IGBT模塊最下面的就是散熱基板，主要目的是把IGBT開關過程產生的熱量快速傳遞出去。
2、DBC基板：全稱為直接覆銅基板，一共包含3層，中間為陶瓷絕緣層，上下為覆銅層，簡單來講就是在一個絕緣材料的兩面覆上一層銅皮，然后在正面刻蝕出能夠走電流的圖形，背面要直接焊接在散熱基板上，因此就不需要刻蝕了。
3、IGBT芯片：IGBT芯片是IGBT模塊的核心。
4、Diode芯片：二極管的電流方向是從上至下的，正好與IGBT的電流方向相反。
5、鍵合線：IGBT芯片、Diode芯片以及DBC的上銅層互連一般采用鍵合線實現，常用的鍵合線有鋁線和銅線兩種。
二、igbt工作原理是什么
IGBT是一種功率晶體管，主要用于變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調的交流電，其工作原理是通過不斷激活和停用其柵極端子來開啟、關閉：
IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電，使IGBT關斷。若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。
