著錄信息
- 專利名稱：突發(fā)式光模塊用淺溝柵狀背光探測(cè)器及其制作方法
- 專利類型：發(fā)明
- 申請(qǐng)?zhí)枺?/em>CN201210573786.7
- 公開(公告)號(hào)：CN103050565B
- 申請(qǐng)日：20121226
- 公開(公告)日：20160504
- 申請(qǐng)人：華工科技產(chǎn)業(yè)股份有限公司
- 發(fā)明人：丁國(guó)慶,唐琦,胡長(zhǎng)飛
- 申請(qǐng)人地址：430223 湖北省武漢市洪山區(qū)珞瑜路243號(hào)華工科技產(chǎn)業(yè)大廈A座12樓
- 申請(qǐng)人區(qū)域代碼：CN420111
- 專利權(quán)人：華工科技產(chǎn)業(yè)股份有限公司
- 洛迦諾分類：無(wú)
- IPC：H01L31/109,H01L31/18
- 優(yōu)先權(quán)：無(wú)
- 專利代理機(jī)構(gòu)：北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228
- 代理人：朱振德
- 審查員：張玉萍
- 國(guó)際申請(qǐng)：無(wú)
- 國(guó)際公開(公告)：無(wú)
- 進(jìn)入國(guó)家日期：無(wú)
- 分案申請(qǐng)：無(wú)
關(guān)鍵詞
淺溝,金屬電極,刻蝕區(qū),背光探測(cè)器,電接觸層,光吸收層,覆蓋層,柵狀,氫離子,非故意摻雜,高濃度摻雜,光脈沖信號(hào),金屬擋光層,氫離子注入,開啟延遲,中等濃度,設(shè)有,摻雜的,電脈沖,高阻區(qū),隔離區(qū),光敏區(qū),光模塊,過(guò)渡層,緩沖層,面積和,突發(fā)式,高阻,減小,拖尾,一種,底部,下方,外圍,包圍,減少,有效
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