著錄信息
- 專利名稱：雙柵MOS結構的功率晶體管
- 專利類型：實用新型
- 申請號：CN201420134117.4
- 公開(公告)號：CN203774335U
- 申請日：20140324
- 公開(公告)日：20140813
- 申請人：江蘇宏微科技股份有限公司
- 發明人：張景超,戚麗娜,劉利峰,王曉寶,趙善麒
- 申請人地址：213022 江蘇省常州市新北區華山中路18號
- 申請人區域代碼：CN320411
- 專利權人：江蘇宏微科技股份有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L29/78,H01L29/423,H01L21/336,H01L21/28
- 優先權：無
- 專利代理機構：常州市維益專利事務所 32211
- 代理人：賈海芬
- 審查員：無
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關鍵詞
多晶硅柵,摻雜,絕緣介質層,柵氧化層,多晶硅,有源,最佳性能狀態,功率晶體管,電流溝道,焊接區域,金屬引線,金屬層,引線孔,連接,雙柵,隔離,分割,延伸
網站提醒和聲明
免責聲明：
本站為會員提供信息存儲空間服務，由于更新時間等問題，可能存在信息偏差的情況，具體請以品牌企業官網信息為準。如有侵權、錯誤信息或任何問題，請及時聯系我們，我們將在第一時間刪除或更正。
版權聲明>>
修改>>
申請刪除>>
平臺自有內容（文字、圖片、界面、榜單、商標、LOGO 等）知識產權歸本站所有，未經書面許可，禁止復制、轉載、商用。本站不生產產品、不提供產品銷售服務、不代理、不招商、不提供中介服務。本頁面內容不代表本站支持投資購買的觀點或意見，頁面信息僅供參考和借鑒。
提交說明：
快速提交發布>>
查看提交幫助>>
注冊登錄>>
