著錄信息
- 專利名稱：一種金屬氧化物TFT器件及制造方法
- 專利類型：發明
- 申請號：CN201280001860.6
- 公開(公告)號：CN104040693B
- 申請日：20121204
- 公開(公告)日：20171212
- 申請人：深圳市柔宇科技有限公司
- 發明人：魏鵬,余曉軍,劉自鴻
- 申請人地址：518057 廣東省深圳市南山區高新南環路29號留學生創業大廈2005室
- 申請人區域代碼：CN440305
- 專利權人：深圳市柔宇科技有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L21/28,H01L29/786,G02F1/1362
- 優先權：無
- 專利代理機構：深圳中一專利商標事務所 44237
- 代理人：張全文
- 審查員：李海龍
- 國際申請：PCT/CN2012/085792 20121204
- 國際公開(公告)：WO2014/085971 20140612
- 進入國家日期：20121228
- 分案申請：無
關鍵詞
光刻膠,半導體層,對準,刻蝕阻擋層,源漏極,溝道,基板,掩膜,絕緣層,剝離,金屬氧化物TFT,半導體溝道,沉積鈍化層,沉積電極,電子器件,基板背部,寄生電容,刻蝕電極,器件性能,依次設置,曝光,電極層,掩膜板,自對準,覆蓋,制備,制造,隔離,保留,制作
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