著錄信息
- 專利名稱：低輸入電容功率半導體場效應晶體管
- 專利類型：實用新型
- 申請號：CN201420656956.2
- 公開(公告)號：CN204375754U
- 申請日：20141103
- 公開(公告)日：20150603
- 申請人：吉林華微電子股份有限公司
- 發明人：左義忠,高宏偉,張海宇,賈國
- 申請人地址：132013 吉林省吉林市深圳街99號
- 申請人區域代碼：CN220211
- 專利權人：吉林華微電子股份有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L29/40,H01L29/78,H01L21/336
- 優先權：無
- 專利代理機構：長春菁華專利商標代理事務所 22210
- 代理人：陶尊新
- 審查員：無
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關鍵詞
多晶硅,場板,多晶硅柵,電容,場效應晶體管,多晶硅柵極,功率半導體,兩側,絕緣層,半導體器件技術,半導體場效應,溝道長度,米勒電容,柵氧化層,有源,小于,金屬,芯片,大于
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