安徽格恩半導體有限公司（以下簡稱“格恩半導體”）成立于2021年8月，由國內外化合物半導體芯片領域的領軍人才聯合創立，位于安徽省六安市金安經濟開發區。項目總投資額20億元，于2022年6月建成投產。公司匯聚了一批化合物半導體行業精英人才，博士專家團隊近20人，核心研發技術人員100余人，皆具有15年以上研發及產業化經驗。

格恩半導體聚焦于化合物半導體細分領域，專注于高性能、高功率半導體光電芯片核心技術開發及產業化，現已申請專利200余項，其中發明專利占比90%以上，擁有覆蓋化合物半導體激光器芯片設計、外延生長、芯片制造、封裝測試等全系列工程技術能力及量產制造能力，深耕于高端化合物半導體芯片的研發、生產和銷售，立志成為化合物半導體行業領軍企業。

格恩半導體堅持以自主知識產權的優先技術為基礎，竭力于為客戶打造高品質的產品。公司產品在激光加工、激光醫療、激光顯示、車載照明、通訊傳感等領域有著廣泛的應用。

格恩半導體將實現高端化合物半導體芯片國產化，尤其是公司研發生產的大功率激光芯片突破國際封鎖實現國產自給，解決國內應用端芯片依賴進口的“卡脖子”問題。同時，推動國內高端化合物半導體芯片產業不斷做強做優做大，助力國內半導體芯片產業的高質量發展。