一、氮化鎵是什么

氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具有半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。

二、氮化鎵充電器優(yōu)點(diǎn)

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，氮化鎵號(hào)稱第三代半導(dǎo)體核心材料。相對(duì)硅而言，氮化鎵擁有更寬的帶隙，寬帶隙也意味著，氮化鎵能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導(dǎo)電能力。簡(jiǎn)而言之兩種材料在相同體積下，氮化鎵比硅的效率高出不少。如果氮化鎵替換現(xiàn)在所有電子設(shè)備，可能會(huì)讓電子產(chǎn)品的用電量再減少10%或者25%。

在許多電源管理產(chǎn)品中，氮化鎵是更強(qiáng)的存在。應(yīng)用層面，采用氮化鎵做充電器的話能夠?qū)崿F(xiàn)更快充電更小體積。

打個(gè)比方說(shuō)，采用氮化鎵材料做出來(lái)的充電頭，體積和蘋(píng)果5W差不多大的情況下，能實(shí)現(xiàn)更多的功率。蘋(píng)果的5W充電頭實(shí)現(xiàn)的充電效率相信大家都懂的，未來(lái)新的材料大規(guī)模應(yīng)有后就有望改變這種情況。

氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。

對(duì)于用戶，最直接的好處就是能帶來(lái)更快的充電，但是體積卻不會(huì)因此而增大。因?yàn)镚aN氮化鎵材料本身的特質(zhì)，因此充電器如果采用了GaN氮化鎵做材料，那么不僅可以實(shí)現(xiàn)體積小、重量輕；對(duì)于發(fā)熱量與效率轉(zhuǎn)化也有非常明顯的提高。很多產(chǎn)品一旦發(fā)熱效率就會(huì)明顯的下降，比如CPU、充電頭等。

三、氮化鎵充電器的缺點(diǎn)

氮化鎵充電器主要缺點(diǎn)是成本高。氮化鎵作為新型第三代化合物，合成環(huán)境要求很高，從制造工藝上講，氮化鎵沒(méi)有液態(tài)，不能使用單晶硅的傳統(tǒng)直拉法拉出單晶，純靠氣體反應(yīng)合成，在氨氣流中超過(guò)1000度加熱金屬鎵半小時(shí)才能形成粉末狀氮化鎵，所以氮化鎵充電器的成本更高，對(duì)應(yīng)市面上的氮化鎵充電器售價(jià)也比傳統(tǒng)充電器高出一大截。

隨著氮化鎵技術(shù)的普及應(yīng)用，氮化鎵充電器成本可能會(huì)逐步降下來(lái)，之后的價(jià)格應(yīng)該能回歸到百元內(nèi)。